台積電的5奈米鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET) 製程技術是同時針對行動應用和高效能運算應用優化的製程選項。
五奈米是台積電第二代使用極紫外光（EUV）技術的製程，其已展現優異的光學能力與符合預期的良好晶片良率，此一製程已於2019年三月進入試產階段，並已於2020年開始量產。此外,台積電預計將於5奈米推出一年後，推出效能與功耗提升的5奈米FinFet強化版製程技術。
台積電領先業界的五奈米N5技術今(2020)年已進入量產，隨著產能持續拉升，良率提升的速度亦較前一世代技術快。相較於前一世代的七奈米N7技術，五奈米速度增快15%、功耗降低30%、邏輯密度增加達80%。奠基於五奈米N5技術，台積電預計於2021年量產加強版的N5P製程(5奈米FinFet強化版製程技術)，速度可再增快5%，功耗再降低10%。
此外，台積電公開表示了5奈米N5家族的最新成員－N4製程，N4進一步提升效能、功耗、以及密度來滿足多樣化產品的需求，除了減少光罩層來簡化製程，N4可借助5奈米完備的設計生態系統順利從N5升級，N4製程預計於2021年第四季開始試產，2022年進入量產。
展望下一世代技術，台積公司三奈米N3製程開發進度符合預期，將成為全球最先進的邏輯技術，相較於五奈米N5技術，N3速度增快15%，功耗降低達30%，邏輯密度增加達70%。隨著半導體架構的創新，台積公司從5奈米往前推進了一個全世代製程，持續保持技術的領導地位。
